Sujet : Re: NMOS gate driver
De : volkin (at) *nospam* yahoo.caca (Volkin)
Groupes : fr.sci.electroniqueDate : 01. Feb 2022, 10:21:02
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User-Agent : Mozilla/5.0 (Windows NT 6.1; rv:52.0) Gecko/20100101 Firefox/52.0 SeaMonkey/2.49.2
Pascal06 wrote:
Le 31/01/2022 à 21:36, Volkin a écrit :
Et pourquoi pas un Mosfet P ?
Ce serait moins cher qu'un Mosfet N + MIC5060, non ?
Bonjour Volkin,
pas faux, l'argument se tient.
Je ne suis pas spécialiste du silicium, mais la raison invoquée par les fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros pour un même Idmax et un même Rdson qu'un type N...
J'ai trouvé quelque chose qui fait exactement ce que je voulais, en fait un switch high-side suivi d'une diode sans seuil: https://www.analog.com/en/products/ltc4364.html#product-overview
Par contre évidemment c'est pas donné: environ 7€ !
Sur une de mes cartes j'utilise un circuit de la famille, LTC4366.
Le client voulait une protection contre les "load dump" de 150V (c'était
pour des bus avec la tension batterie 24V). C'est un circuit très cher,
oui.
Le client voulait une puissance commutée élevée (120W) et je n'ai pas
trouvé de mosfets P avec Rds suffisamment bas pour le faire de façon simple, sans pompe de charge.
NMOS gate driver
Re: NMOS gate driver