Re: NMOS gate driver

Pascal06 wrote:

Le 01/02/2022 à 08:43, Pascal06 a écrit :

Bonjour Volkin,
pas faux, l'argument se tient.
Je ne suis pas spécialiste du silicium, mais la raison invoquée par les fabricants de ces drivers de mosfet est qu'un type P est plus gros pour un même Idmax et un même Rdson qu'un type N...

Bonjour,
décidément je suis impardonnable. J'avais de côté un document pas plus tard qu'en décembre dernier.
Lire notamment la page 7 qui parle de la différence entre type N et type P:
https://www.infineon.com/dgdl/Reverse-Batery-Protection-Rev2.pdf?fileId=db3a304412b407950112b41887722615#page=7  

Oui, le schéma de la page 7 est très classique. Le Mosfet est passant
quand la tension en entrée est supérieure à Vgs et totalement fermé
quand elle est négativé.
Contre une simple inversion de polarité ça suffit largement.
Parfois les normes automobile demandent plus. Pas exemple resister
aux erreurs de l'atelier quand les gens pour démarrer le moteur
mettent deux batteries en cascade plutôt qu'en parallèle ou quand
la batterie est débranchée alors que l'alternateur continue
à envoyer des pulses de charge directement sur le rail +BAT etc etc etc.
Dans ce cas il faut des MOSFETs qui tiennent la tension 90 ou 150V et
en même temps suffisamment passants quand la tension est normale
voire très basse ( pendant le démarrage la tension Vbat
s'écroule et la charge compense en augmentant le courant).
Or s'il faut tenir 10 fois la tension normale et 2 fois le
courant normal le choix MOSFETs-N + pompe de charge peut être
économiquement plus intéressant.