Re: [HS] Re: Intensités dans LTspice XVII

Le 15-11-2022, Gauloisjesuis <nonmaisnon@maisnon.fr> a écrit :

Elle existe déjà c'est R1 1K
>
(la même chose entre Q2 et Q4).

Non, je ne parle pas de cette résistance, mais d'une résistance
entre l'émetteur de Q3 et le collecteur de Q1.

Je pense inutile car la base de Q4 est polarisé par Q5 quand celui-ci
est saturé
>

Ici, ça n'apporte rien de visible (ni sur la vitesse de commutation,
ni sur la saturation). Que proposerais-tu ?
 
JKB

>
Quand à faire commuter une paire de Sziklai juste avec les quelques
coulombs stockés dans la capa d'entrée d'un Mosfet, faudrait qu'on
m'explique pourquoi s'emm... à utiliser une commutation à l'aide de
push-pul. mais bon je me trompe peut-être :-)

Pour avoir le chemin vers les deux rails avec la plus faible
impédance et la plus rapide possible.

et ensuite pourquoi je veux assurer la conduction à la masse de la
grille, c'est que dans mon schéma quand Q5 est saturé la base de Q2
n'est plus polarisée et la grille du FET non plus.

Mais on s'en fiche. Q4 et Q2 imposent un potentiel comme expliqué
plus haut. Les transistors conduisent tant que le potentiel de la
grille est trop haut vis à vis de la base de Q4 (et la tension de
déchet de Q4, ce qui nous amène à 0,6 ou 0,7V).

Comme je disais, je mettrais une résistance entre le le +14V et le point
nodal Q1 Q2 Q3 Q4.

Si vraiment tu veux coller une résistance, tu peux en mettre une
entre ce point et la masse pour forcer les derniers électrons à
quitter la grille et obtenir un 0V.

Autrement tu as le driver de Mosfet NCP81074A de Onsemi
>
https://www.cjoint.com/c/LKpwBppo7mB

Sauf que ça ne rentre pas dans les critères imposés dans le cahier
des charges en termes de composants.

JKB

--
Si votre demande me parvient en code 29, je vous titiouillerai volontiers
une réponse.